FDG6301N-F085

Name: ON Semiconductor FDG6301N-F085
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Date Sheet

Lagernummer 304

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：42 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：4 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Время задержки включения：5 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 220mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9.5pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.4nC @ 4.5V
Время подъема：4.5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Время падения (тип)：3.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)：220mA
Пороговое напряжение：850mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Сопротивление открытого канала-макс：4Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 304

Итого $0.00000