Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN601DMK-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-dt104204so7-6257.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN601DMK-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6
- MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Date Sheet
Lagernummer 60017
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:15.7 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2017
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOW CAPACITANCE
- Ток постоянного напряжения - номинальный:60V
- Максимальная потеря мощности:700mW
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:305mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:DMN601DMK
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:980mW
- Время задержки включения:3.9 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.4 Ω @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:50pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:304nC @ 4.5V
- Время подъема:3.4ns
- Время падения (тип):9.9 ns
- Непрерывный ток стока (ID):510mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.305A
- Сопротивление открытого канала-макс:4Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF
- Высота:1.1mm
- Длина:3mm
- Ширина:1.6mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 60017
Итого $0.00000