(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN2005DLP4K-7
Изображение служит лишь для справки
DMN2005DLP4K-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-XFDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Date Sheet
Lagernummer 729
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-XFDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e4
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Максимальная потеря мощности：400mW
- Положение терминала：BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：DMN2005DLP4K
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：400mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 100μA
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：300mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Сопротивление открытого канала-макс：3.5Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Высота：350μm
- Длина：1.3mm
- Ширина：1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 729
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
