(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJB60EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJB60EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SO-8 Dual
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Date Sheet
Lagernummer 146
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8 Dual
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：48W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Непрерывный ток стока (ID)：30A
- Пороговое напряжение：2V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.012Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：84A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 146
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
