NVMFD5853NLT1G

Name: ON Semiconductor NVMFD5853NLT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerTDFN
MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
Date Sheet

Lagernummer 678

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：13 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：22 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：3W
Форма вывода：FLAT
Число контактов：8
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PDSO-F6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1100pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Непрерывный ток стока (ID)：12A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：34A
Сопротивление открытого канала-макс：0.015Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Максимальный импульсный ток вывода：165A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：40 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.05mm
Длина：6.1mm
Ширина：5.1mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 678

Итого $0.00000