(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SH8J31GZETB
Изображение служит лишь для справки
SH8J31GZETB
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 1398
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2500pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.085Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：18A
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：14 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1398
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
