Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы STS4DPF20L
![](https://static.whisyee.com/dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STS4DPF20L
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-Ch 20 Volt 4 Amp
Date Sheet
Lagernummer 580
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:125 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:STripFET™
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:80mOhm
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика:LOW THRESHOLD
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-20V
- Максимальная потеря мощности:2W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-4A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:STS4D
- Число контактов:8
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2W
- Время задержки включения:25 ns
- Мощность - Макс:1.6W
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:80m Ω @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1350pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:16nC @ 5V
- Время подъема:35ns
- Время падения (тип):35 ns
- Непрерывный ток стока (ID):4A
- Пороговое напряжение:1.6V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):16V
- Максимальный сливовой ток (ID):4A
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Максимальный импульсный ток вывода:16A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.25mm
- Длина:5mm
- Ширина:4mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 580
Итого $0.00000