(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI1539DDL-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI1539DDL-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET N&P-Chnl 30V (D-S)
Date Sheet
Lagernummer 250
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：700mA Tc 460mA Tc
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：340mW
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：388m Ω @ 600mA, 10V, 1.07 Ω @ 400mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA, 3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：28pF @ 15V 21pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.388Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：888 pF
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 250
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
