Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN3012LFG-13
Изображение служит лишь для справки
DMN3012LFG-13
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerLDFN
- MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:21 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerLDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:20A Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:2.2W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12m Ω @ 15A, 5V, 6m Ω @ 15A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 250μA, 1.15V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:850pF @ 15V 1480pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000