Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTP52P10P
Изображение служит лишь для справки
IXTP52P10P
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
Date Sheet
Lagernummer 395
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：24 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：52A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：38 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PolarP™
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：PURE TIN
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：50m Ω @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2845pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：60nC @ 10V
- Rise Time：29ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：52A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.05Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：-100V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 395
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты