SIZ300DT-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIZ300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (17 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 3 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAIR-8
Date Sheet

Lagernummer 2836

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Indicator type：dot
Класс защиты：IP65
Illumination voltage：12 V
Illuation color：redmin
Relative humidity：45...85 %
Номинальное напряжение：250 V
LED working life：≥40000 hours
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：3 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAIR-8
Максимальный ток утечки (ID)：11 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：S-XDSO-N8
Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN SOURCE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.024 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：30 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：7 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：31 W
Контакты：4Pin+2Pin
Диаметр：25 mm

Со склада 2836

Итого $0.00000