Изображение служит лишь для справки
IRFS4410ZTRLPBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:aluminium
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of heatsink:extruded
- Heatsink shape:U
- Material finishing:anodized
- Монтаж:for back plate
- Plate thickness:6mm
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):97 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.009 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:390 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):242 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):230 W
- Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:universal
- Ток насыщения:1
- Длина:1m
- Ширина:0.15m
- Высота:40mm
Со склада 0
Итого $0.00000