SISA12ADN-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SISA12ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (10 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet

Lagernummer 18272

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks, 3 Days
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：transistor/transistor
Max. off-state voltage：1.2kV
Сборный ток：75A
Case：MiniSKiiP® 3
Electrical mounting：Press-Fit
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：150A
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Максимальный ток утечки (ID)：25 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：S-PDSO-C5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Топология：IGBT three-phase bridge,
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0043 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：80 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：11 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：28 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,

Со склада 18272

Итого $0.00000