IRF8301MTRPBF

Name: International Rectifier IRF8301MTRPBF
Brand: International Rectifier
Rating: 4.5 (17 reviews)

International Rectifier
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MT, ISOMETRIC-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：transistor/transistor
Max. off-state voltage：650V
Сборный ток：300A
Case：SEMITRANS3
Electrical mounting：FASTON connectors,
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：900A
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Описание пакета：MT, ISOMETRIC-3
Максимальный ток утечки (ID)：34 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：CHIP CARRIER
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：NO LEAD
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-XBCC-N3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Топология：IGBT half-bridge
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0015 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：250 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：260 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：89 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,

Со склада 0

Итого $0.00000