Изображение служит лишь для справки
IRFR220
-
Philips Semiconductors
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал наружного корпуса：1
- Type of module：diode-thyristor
- Semiconductor structure：double series
- Max. off-state voltage：1.6kV
- Case：SEMIPACK1
- Max. forward voltage：1.75V
- Max. forward impulse current：1.5kA
- Gate current：100mA
- Electrical mounting：screw
- Mechanical mounting：screw
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：PHILIPS SEMICONDUCTORS
- Максимальный ток утечки (ID)：4.8 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：42 W
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты