Изображение служит лишь для справки

IRF740PBF

Lagernummer 465

  • 1+: $1.30708
  • 10+: $1.23310
  • 100+: $1.16330
  • 500+: $1.09745
  • 1000+: $1.03533

Zwischensummenbetrag $1.30708

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:9 Weeks, 3 Days
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of module:diode-thyristor
  • Semiconductor structure:double series
  • Max. off-state voltage:1.6kV
  • Версия:A22
  • Case:SEMIPACK1
  • Max. forward voltage:1.75V
  • Max. forward impulse current:2.25kA
  • Gate current:100mA
  • Electrical mounting:screw
  • Max. load current:235A
  • Mechanical mounting:screw
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Код упаковки компонента:TO-220AB
  • Максимальный ток утечки (ID):10 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.55 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:40 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:400 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):520 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):125 W

Со склада 465

  • 1+: $1.30708
  • 10+: $1.23310
  • 100+: $1.16330
  • 500+: $1.09745
  • 1000+: $1.03533

Итого $1.30708