SI8499DB-T2-E1

Name: Vishay Intertechnologies SI8499DB-T2-E1
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.6 (5 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.50 X 1 MM, 0.59 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT, 6 PIN
Date Sheet

Lagernummer 386

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：1.50 X 1 MM, 0.59 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT, 6 PIN
Максимальный ток утечки (ID)：16 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：GRID ARRAY
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：diode/transistor
Max. off-state voltage：1.2kV
Сборный ток：35A
Case：MiniSKiiP® 2
Electrical mounting：Press-Fit
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：105A
Mechanical mounting：screw
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PBGA-B6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Топология：boost chopper,
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.046 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：20 A
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：13 W
Мощность：11kW
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,
Ток насыщения：1

Со склада 386

Итого $0.00000