Изображение служит лишь для справки

SQJQ160E-T1_GE3

Lagernummer 1055

  • 1+: $2.68348
  • 10+: $2.53158
  • 100+: $2.38829
  • 500+: $2.25310
  • 1000+: $2.12557

Zwischensummenbetrag $2.68348

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:25 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Максимальный ток утечки (ID):602 A
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Время отключения макс. (toff):119 ns
  • Время включения макс. (ton):57 ns
  • Type of module:diode-thyristor
  • Semiconductor structure:double series
  • Max. off-state voltage:1.8kV
  • Case:SEMIPACK3
  • Max. forward voltage:1.6V
  • Max. forward impulse current:9kA
  • Gate current:150mA
  • Electrical mounting:screw
  • Mechanical mounting:screw
  • Код ECCN:EAR99
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PSSO-G4
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.00085 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:655 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):288 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):600 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):458 pF

Со склада 1055

  • 1+: $2.68348
  • 10+: $2.53158
  • 100+: $2.38829
  • 500+: $2.25310
  • 1000+: $2.12557

Итого $2.68348