Изображение служит лишь для справки

IRL630STRLPBF

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Максимальный ток утечки (ID):9 A
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Type of module:diode-thyristor
  • Semiconductor structure:double series
  • Max. off-state voltage:1.8kV
  • Версия:A22
  • Case:SEMIPACK2
  • Max. forward voltage:1.55V
  • Max. forward impulse current:3.6kA
  • Gate current:150mA
  • Electrical mounting:screw
  • Max. load current:235A
  • Mechanical mounting:screw
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.4 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:36 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:200 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):250 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Ток насыщения:1

Со склада 0

Итого $0.00000