IRF840

Name: Motorola Semiconductor Products IRF840
Brand: Motorola Semiconductor Products
Rating: 4.8 (7 reviews)

Motorola Semiconductor Products
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：transistor/transistor
Max. off-state voltage：1.2kV
Сборный ток：150A
Case：SEMITRANS2
Electrical mounting：FASTON connectors,
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：300A
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MOTOROLA INC
Описание пакета：TO-220AB, 3 PIN
Максимальный ток утечки (ID)：8 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Время отключения макс. (toff)：120 ns
Время включения макс. (ton)：50 ns
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Топология：IGBT half-bridge
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.85 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：32 A
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：150 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：125 W

Со склада 0

Итого $0.00000