IRF5305STRLPBF

Name: International Rectifier IRF5305STRLPBF
Brand: International Rectifier
Rating: 4.6 (18 reviews)

International Rectifier
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал：aluminium
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of heatsink：extruded
Heatsink shape：U
Material finishing：raw
Монтаж：for back plate
Internal width：13.3mm
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Описание пакета：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Максимальный ток утечки (ID)：31 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.06 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：110 A
Минимальная напряжённость разрушения：55 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：280 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：110 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：LED
Ток насыщения：1
Длина：0.1m
Ширина：26.5mm
Высота：19mm

Со склада 0

Итого $0.00000