Изображение служит лишь для справки
SIR878BDP-T1-RE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
- Date Sheet
Lagernummer 6
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of enclosure:multipurpose
- Dimension X:208mm
- Dimension Y:208mm
- Dimension Z:56mm
- Enclosure series:AUG
- Материал корпуса:aluminium
- Body colour:silver
- Side colour:blue
- Размеры:See
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):42.5 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):54 ns
- Время включения макс. (ton):38 ns
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0144 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):11.2 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):62.5 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):12 pF
Со склада 6
Итого $0.00000