Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RQ3G120BJFRATCB
Изображение служит лишь для справки
RQ3G120BJFRATCB
- Rohm Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
- Date Sheet
Lagernummer 3005
- 1+: $1.20465
- 10+: $1.13647
- 100+: $1.07214
- 500+: $1.01145
- 1000+: $0.95420
Zwischensummenbetrag $1.20465
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства:8-HSMT (3.2x3)
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:40W (Tc)
- Квалификация:AEC-Q101
- Пакетирование:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Состояние изделия:Active
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:48mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 279µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:750 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15.5 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):+5V, -20V
- Класс:Automotive
Со склада 3005
- 1+: $1.20465
- 10+: $1.13647
- 100+: $1.07214
- 500+: $1.01145
- 1000+: $0.95420
Итого $1.20465