MUN5312DW1T1G

Name: ON Semiconductor MUN5312DW1T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Date Sheet

Lagernummer 22752

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：60
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：187mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MUN53**DW1
Число контактов：6
Направленность：NPN
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Мощность - Макс：250mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
База (R1)：22k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：22k Ω
Высота：900μm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 22752

Итого $0.00000