(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1903,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN1903,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Date Sheet
Lagernummer 78
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Частота перехода：250MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：22k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：22k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 78
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
