(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1905FE,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN1905FE,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Date Sheet
Lagernummer 1208
- 1+： $0.17824
- 10+： $0.16816
- 100+： $0.15864
- 500+： $0.14966
- 1000+： $0.14119
Zwischensummenbetrag $0.17824
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Вес：3.005049mg
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Минимальная частота работы в герцах：80
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Направленность：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Частота - Переход：250MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- База (R1)：2.2k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 1208
- 1+： $0.17824
- 10+： $0.16816
- 100+： $0.15864
- 500+： $0.14966
- 1000+： $0.14119
Итого $0.17824
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
