Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1902,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN1902,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Date Sheet
Lagernummer 2499
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Weight：6.010099mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- hFEMin：50
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2014
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation：200mW
- Polarity：NPN
- Transistor Type：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：250MHz
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Resistor - Base (R1)：10k Ω
- Continuous Collector Current：100mA
- Resistor - Emitter Base (R2)：10k Ω
- RoHS Status：RoHS Compliant
Со склада 2499
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты