Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные ADTC114YUAQ-7
Изображение служит лишь для справки
ADTC114YUAQ-7
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 3K
- Date Sheet
Lagernummer 4936
- 1+: $0.03956
- 10+: $0.03732
- 100+: $0.03521
- 500+: $0.03322
- 1000+: $0.03134
Zwischensummenbetrag $0.03956
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Количество элементов:1
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс:330mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:68 @ 5mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Частота перехода:250MHz
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4936
- 1+: $0.03956
- 10+: $0.03732
- 100+: $0.03521
- 500+: $0.03322
- 1000+: $0.03134
Итого $0.03956