(0)
Изображение служит лишь для справки
NE68119T1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：10 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：10 V
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Траниционный частотный предел (fT)：7000 MHz
- Артикул Производителя：NE68119-T1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：California Eastern Laboratories (CEL)
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
- Ранг риска：5.38
- Пакетирование：Cut Tape
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Максимальная потеря мощности：100 mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：65 mA
- Частота：7 GHz
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：100 mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток сбора：65 mA
- Увеличение：14 dB
- Максимальная частота：7 GHz
- Частота перехода：7 GHz
- Максимальное напряжение разрушения：10 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1.5 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.065 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：80
- Прямоходящий ток коллектора：65 mA
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：10 V
- Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.9 pF
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
