Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUC120N04S6N013ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUC120N04S6N013ATMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- IAUC120N04S6N013ATMA1
- Date Sheet
Lagernummer 4981
- 1+: $0.48508
- 10+: $0.45763
- 100+: $0.43172
- 500+: $0.40729
- 1000+: $0.38423
Zwischensummenbetrag $0.48508
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:120A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):7V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:115W (Tc)
- Основной номер продукта:IAUC120
- Прямоходящий ток вывода Id:120
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:AEC-Q101
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Время типичного задержки включения:6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.6 V
- Распад мощности:115 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.003966 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:5000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:IAUC120N04S6N013 SP001790490
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:51 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.21 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:13 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:120 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:115
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.34mOhm @ 60A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 60μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4260 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:68 nC @ 10 V
- Время подъема:3 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 4981
- 1+: $0.48508
- 10+: $0.45763
- 100+: $0.43172
- 500+: $0.40729
- 1000+: $0.38423
Итого $0.48508