SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (20 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Date Sheet

Lagernummer 2017

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：3.6W (Ta), 39W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：23.5
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK SO-8
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：9 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.4 V
Распад мощности：39 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：33 S
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：17.4 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：29.5 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：19 ns
Id - Непрерывный ток разряда：23.5 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：39
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29.5mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1110 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26.5 nC @ 10 V
Время подъема：5 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2017

Итого $0.00000