JAN2N5339U3

Name: Microchip JAN2N5339U3
Brand: Microchip
Rating: 4.8 (6 reviews)

Microchip
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-276AA
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-276AA
Вид крепления：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：U-3 (TO-276AA)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：100 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Максимальный постоянный ток сбора：5 A
Распад мощности：75 W
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：3
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：15
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 µA
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Ранг риска：5.27
Код упаковки компонента：TO-276AA
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Код цикла жизни компонента：Active
Количество элементов：1
Форма упаковки：RECTANGULAR
Артикул Производителя：JAN2N5339U3
Рохс Код：No
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：CHIP CARRIER
Описание пакета：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Пакетирование：Tray
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/560
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：NO LEAD
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：5
Нормативная Марка：MIL-19500/560
Код JESD-30：R-XBCC-N3
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 2A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100µA
Код JEDEC-95：TO-276AA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 500mA, 5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Прямоходящий ток коллектора：5 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V

Со склада 23

Итого $0.00000