Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVLJWS070N06CLTAG
Изображение служит лишь для справки
NVLJWS070N06CLTAG
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- WDFN-6
- MOSFET T6 60V LL 2X2 WDFNW6
- Date Sheet
Lagernummer 2079
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:WDFN-6
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Поставщик упаковки устройства:6-WDFNW (2.05x2.05)
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Id - Непрерывный ток разряда:4.4 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:85 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Зарядная характеристика ворот:18 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:15 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:11 S
- Пакетная партия производителя:3000
- Время задержки отключения типичного:9.4 ns
- Время типичного задержки включения:4.4 ns
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:NVLJWS070
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.4A (Ta), 11A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:onsemi
- Максимальная мощность рассеяния:2.4W (Ta), 15W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Серия:NVLJWS070N06CL
- Пакетирование:Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:62mOhm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 6µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:160 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:18 nC @ 10 V
- Время подъема:1.3 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2079
Итого $0.00000