NTMFD1D1N02X

Name: ON Semiconductor NTMFD1D1N02X
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PQFN-8
MOSFET T10 MOSFET 25V
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：PQFN-8
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：8-PQFN (5x6)
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：25 V
Id - Непрерывный ток разряда：75 A, 178 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3 mOhms, 870 uOhms
Усв：- 12 V, + 16 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.1 V
Зарядная характеристика ворот：59 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：27 W, 44 W
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：123 S, 322 S
Пакетная партия производителя：3000
Время задержки отключения типичного：12 ns, 26 ns
Время типичного задержки включения：10 ns, 21 ns
Пакет：Tape & Reel (TR)
Основной номер продукта：NTMFD1
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Mfr：onsemi
Состояние продукта：Active
Серия：NTMFD1D1N02X
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3mOhm @ 20A, 10V, 870µOhm @ 37A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Время подъема：2.5 ns, 6.6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Характеристика ТРП：-

Со склада 0

Итого $0.00000