(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPW60R280C6
Изображение служит лишь для справки
IPW60R280C6
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Axial
- Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin TO-247 Tube
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Axial
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：Axial
- Прямоходящий ток вывода Id：13.8
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13.8A (Tc)
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：104W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Время типичного задержки включения：13 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：104 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.211644 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：240
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IPW6R28C6XK SP000645032 IPW60R280C6FKSA1
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：43 nC
- Торговое наименование：CoolMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：250 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：100 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：13.8 A
- Пакетирование：Bulk
- Серия：CW
- Рабочая температура：-65°C ~ 350°C
- Размер / Размерность：0.188 Dia x 0.562 L (4.78mm x 14.27mm)
- Допуск：±5%
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：2
- Коэффициент температурной зависимости：±30ppm/°C
- Сопротивление：12 kOhms
- Состав：Wirewound
- Мощность (ватт)：3.75W
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Срок службы：--
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：280mOhm @ 6.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 430µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：950 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：43 nC @ 10 V
- Время подъема：11 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：Moisture Resistant, Pulse Withstanding
- Категория продукта：MOSFET
- Высота сидения (макс.)：--
- Ширина：5.21 mm
- Высота：21.1 mm
- Длина：16.13 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
