Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISC030N12NM6ATMA1
Изображение служит лишь для справки
ISC030N12NM6ATMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
- Date Sheet
Lagernummer 37
- 1+: $4.32916
- 10+: $4.08411
- 100+: $3.85294
- 500+: $3.63485
- 1000+: $3.42910
Zwischensummenbetrag $4.32916
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TSON-8-3
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:ISC030N
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A (Ta), 194A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):8V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:3W (Ta), 250W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:120 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.6 V
- Распад мощности:250 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:59 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:3.7 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:194 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:OptiMOS™ 6
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.04mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.6V @ 141µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5500 pF @ 60 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:74 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):120 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 37
- 1+: $4.32916
- 10+: $4.08411
- 100+: $3.85294
- 500+: $3.63485
- 1000+: $3.42910
Итого $4.32916