TIP42G

Name: ON Semiconductor TIP42G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
Trans GP BJT PNP 40V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-40V
Максимальная потеря мощности：2W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：TIP42
Число контактов：3
Выводной напряжение：2.7V
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：6A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：700μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 600mA, 6A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：15.748mm
Длина：10.2616mm
Ширина：4.826mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000