(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJ963EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ963EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
Date Sheet
Lagernummer 5786
- 1+： $2.08667
- 10+： $1.96856
- 100+： $1.85713
- 500+： $1.75201
- 1000+： $1.65284
Zwischensummenbetrag $2.08667
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8 Dual
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
- Количество элементов：2
- Время отключения：36 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：27W
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：27W
- Время задержки включения：11 ns
- Мощность - Макс：27W Tc
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：85mOhm @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1140pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
- Время подъема：13ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Время падения (тип)：8 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Характеристика ТРП：Standard
- Сопротивление стока к истоку：115mOhm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 5786
- 1+： $2.08667
- 10+： $1.96856
- 100+： $1.85713
- 500+： $1.75201
- 1000+： $1.65284
Итого $2.08667
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
