(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMP58D0SV-7
Изображение служит лишь для справки
DMP58D0SV-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET PMOS-Dual
Date Sheet
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：19 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Вес：3.005049mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：8Ohm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности：400mW
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：400mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 100mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：27pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：50V
- Непрерывный ток стока (ID)：160mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Минимальная напряжённость разрушения：50V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：600μm
- Длина：1.6mm
- Ширина：1.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 28
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
