SI1902CDL-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 20V 1A DUAL NCH
Date Sheet

Lagernummer 301

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28.009329mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.1A
Количество элементов：2
Время отключения：11 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2016
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：235mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：420mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Время задержки включения：4 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：235m Ω @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：62pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3nC @ 10V
Время подъема：13ns
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1A
Пороговое напряжение：1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 301

Итого $0.00000