(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MCH6661-TL-W
Изображение служит лишь для справки
MCH6661-TL-W
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V
Date Sheet
Lagernummer 483
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Количество контактов：6
- Вес：7.512624mg
- Количество элементов：2
- Время отключения：10.5 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности：800mW
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：800mW
- Время задержки включения：3.4 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：188m Ω @ 900mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：88pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 10V
- Время подъема：3.6ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：1.8A
- Пороговое напряжение：2.6V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 4V Drive
- Высота：850μm
- Длина：2mm
- Ширина：1.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 483
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
