(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NVMFD5C462NLWFT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFD5C462NLWFT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
Date Sheet
Lagernummer 1032
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：48 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A Ta 84A Tc
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：3W Ta 50W Tc
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.7m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 40μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0077Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：311A
- Минимальная напряжённость разрушения：40V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：174 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：50W
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1032
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
