(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SP8M24FRATB
Изображение служит лишь для справки
SP8M24FRATB
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
Date Sheet
Lagernummer 73
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A Ta 3.5A Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2017
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：46m Ω @ 4.5A, 10V, 63m Ω @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：550pF @ 10V 1700pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：45V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.064Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：18A
- Минимальная напряжённость разрушения：45V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 73
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
