(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SIZF920DT-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIZF920DT-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerWDFN
- Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Date Sheet
Lagernummer 13092
- 1+： $1.51853
- 10+： $1.43258
- 100+： $1.35149
- 500+： $1.27499
- 1000+： $1.20282
Zwischensummenbetrag $1.51853
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-PowerPair® (6x5)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A Ta 76A Tc 49A Ta 197A Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：3.9W Ta 28W Tc 4.5W Ta 74W Tc
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual), Schottky
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA, 2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 15V 5230pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 10V, 125nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 13092
- 1+： $1.51853
- 10+： $1.43258
- 100+： $1.35149
- 500+： $1.27499
- 1000+： $1.20282
Итого $1.51853
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
