(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы CPH6635-TL-H
Изображение служит лишь для справки
CPH6635-TL-H
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Small Signal MOSFET 30V 0.4A 3.7 Ohm Complementary CPH6
Date Sheet
Lagernummer 2028
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：400mA 1.5A
- Время отключения：155 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：800mW
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Время задержки включения：5.3 ns
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.7 Ω @ 80mA, 4V
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.58nC @ 10V
- Время подъема：65ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V 20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：120 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：1.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2028
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
