Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы EMH2604-TL-H
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-tnd524vstlh-6437.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
EMH2604-TL-H
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8
Date Sheet
Lagernummer 761
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SMD, Flat Lead
- Количество контактов:8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4A 3A
- Количество элементов:2
- Время отключения:30 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности:1.2W
- Число контактов:8
- Конфигурация элемента:Dual
- Распад мощности:1.2W
- Время задержки включения:9.2 ns
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:45m Ω @ 4A, 4.5V
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:345pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4.7nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Непрерывный ток стока (ID):3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):10V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:750μm
- Длина:2mm
- Ширина:1.7mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 761
Итого $0.00000