Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы APTMC120HR11CT3AG
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
APTMC120HR11CT3AG
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- POWER MODULE - SIC MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:SP3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:26A Tc
- Рабочая температура:-40°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:1997
- Состояние изделия:Active
- Мощность - Макс:125W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:98mOhm @ 20A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:950pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:62nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V 1.2kV
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000