(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDMA2002NZ_F130
Изображение служит лишь для справки
FDMA2002NZ_F130
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-VDFN Exposed Pad
- INTEGRATED CIRCUIT
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.9A
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Серия：PowerTrench®
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Мощность - Макс：650mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：123m Ω @ 2.9A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：220pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
