Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDG6303N_G
Изображение служит лишь для справки
FDG6303N_G
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- INTEGRATED CIRCUIT
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:500mA
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):Not Applicable
- Мощность - Макс:300mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:450m Ω @ 500mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:50pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):25V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
Со склада 0
Итого $0.00000