(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSL806NH6327XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BSL806NH6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
Date Sheet
Lagernummer 796
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.3A Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS™
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：500mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：57m Ω @ 2.3A, 2.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：750mV @ 11μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：259pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.7nC @ 2.5V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.3A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.057Ohm
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 796
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
